Modelo do Produto

RJH3047DPK

Introdução

IGBT de Canal N de Silício para Comutação de Potência em Alta Velocidade

Marca e Fabricante

Renesas Technology Corp

Características

Comutação em alta velocidade, baixa tensão de saturação coletor-emissor, alta impedância de entrada

Desempenho do Produto

Conversão de potência eficiente, redução de perdas por comutação e condução, desempenho térmico aprimorado

Especificações Técnicas

Polaridade do Transistor: Canal N, Tensão - Quebra Coletor Emissor (Máx): 330V, Corrente - Coletor (Ic) (Máx): 35A, Potência - Máx: 200W

Dimensões, Forma e Embalagem

Pacote TO-3P, Livre de chumbo, compatível com RoHS

Qualidade e Confiabilidade

Alta confiabilidade sob condições de operação prolongadas, medidas rigorosas de controle de qualidade

Vantagens do Produto

Otimizado para aplicações de alto desempenho, capacidades de economia de energia

Competitividade do Produto

Compete com os principais ICs de chaveamento de potência da indústria, solução de potência econômica

Compatibilidade

Compatível com diversos circuitos de acionamento e componentes passivos

Certificação e Conformidade com Normas

Compatível com RoHS, livre de chumbo

Duração e Sustentabilidade

Confiabilidade a longo prazo, projetado para operação robusta ao longo de muitos ciclos

Áreas de Aplicação

Fontes de alimentação chaveadas, controles de motor, sistemas inversores, inversores de uso geral

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